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STH150N10F7-2中文资料N沟道100 V、0.0038 Ohm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装数据手册ST规格书
STH150N10F7-2规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on)行列
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STH150N10F7-2
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0045
- Drain Current (Dc)_max(A)
：90
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：92
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
10000 |
原装公司现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
19000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
H2PAK-2 |
20000 |
原装进口正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2020+ |
H2PAK-2 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
H2PAK-2 |
20000 |
现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST |
24+ |
TO-263 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 |
