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STGYA75H120DF2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGYA75H120DF2 |
| 参数属性 | STGYA75H120DF2 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 1200 V, 7 |
| 功能描述 | 1200 V、75 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT，TO-247长引线封装 |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 原厂标识 | ST |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 13:00:00 |
| 人工找货 | STGYA75H120DF2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGYA75H120DF2规格书详情
描述 Description
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是“H”系列IGBT中的成员，代表了导通损耗与开关损耗之间的最佳折衷，实现了高开关频率转换器的效率最大化。此外，它的VCE(sat)正温度系数和超紧密的参数分布使得并联操作更为安全。
特性 Features
• 最大结温：TJ = 175 °C
• 短路耐受时间为5 μs
• VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A
• 紧凑参数分布
• 正VCE(sat)温度系数
• 低热阻
• 恢复速度极快的反向并联晶体管
简介
STGYA75H120DF2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGYA75H120DF2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
STGYA75H120DF2
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，75A
- 开关能量：
4.3mJ（开），3.9mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
61ns/366ns
- 测试条件：
600V，75A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247
- 描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP 1200 V, 7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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