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STGWT60V60DLF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGWT60V60DLF |
| 参数属性 | STGWT60V60DLF 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT BIPO 600V 60A TO3P |
| 功能描述 | 600 V, 60 A very high speed trench gate field-stop IGBT |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 19:29:00 |
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STGWT60V60DLF规格书详情
简介
STGWT60V60DLF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGWT60V60DLF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
STGWT60V60DLF
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 描述：
IGBT BIPO 600V 60A TO3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO3P |
32360 |
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23+ |
TO3P |
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23+ |
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