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STGWT28IH125DF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGWT28IH125DF |
| 参数属性 | STGWT28IH125DF 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1250V 60A 375W TO-3P |
| 功能描述 | 1250 V、25 A IH系列沟槽栅场截止IGBT |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 18:28:00 |
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STGWT28IH125DF规格书详情
描述 Description
These IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure and performance is optimized in both conduction and switching losses. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is co-packaged. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft-switching application.
特性 Features
• Designed for soft commutation only
• Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
• Minimized tail current
• VCE(sat)= 2.0 V (typ.) @ IC= 25 A
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low VFsoft recovery co-packaged diode
• Low thermal resistance
• Lead free package
简介
STGWT28IH125DF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGWT28IH125DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGWT28IH125DF
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-3P
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：1250
- PTOT_max(W)
：375
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：30
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：60
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：30
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：60
- VCE(sat)_typ(V)
：2
- VF_typ(V)
：1.2
- Qg_typ(nC)
：114
- Eoff_typ(mJ)
：0.72
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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