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STGY40NC60VD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

STGY40NC60VD

参数属性

STGY40NC60VD 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 80A 260W MAX247

功能描述

超快“V”系列
IGBT 600V 80A 260W MAX247

封装外壳

TO-247-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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STGY40NC60VD规格书详情

描述 Description

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “V” identifies a family optimized for very high frequency applications.

特性 Features

• High current capability
• Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• High frequency operation up to 50kHz
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

简介

STGY40NC60VD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGY40NC60VD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STGY40NC60VD

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :Max247

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :260

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :50

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :80

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :30

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.9

  • VF_typ(V)

    :1.5

  • Qg_typ(nC)

    :214

  • Eon_typ(mJ)

    :0.33

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.72

  • Qrr_typ(nC)

    :237

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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