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STGY40NC60VD	文件：303.19 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Very Fast PowerMESH IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGY40NC60VD	文件：290.25 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 600V - 50A - Max247 Very fast PowerMESH??IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGY40NC60VD	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 260W MAX247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GW40NC60KD	文件：846.42 Kbytes Page：13 Pages	600V,40Ashort-circuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GW40NC60V	文件：279.63 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL50A-600V-TO-247VeryFastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GW40NC60WD	文件：283.52 Kbytes Page：14 Pages	N-channel40A-600V-TO-247VeryfastswitchingPowerMESHIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™processresultinginanexcellenttrade-offbetweenswitchingperformanceandlowon-statebehavior. Features ■LowCRES/CIESratio(nocrossconductionsusceptibility) ■IGBTco-packagedwithultrafastfree-wheelingdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GY40NC60VD	文件：290.25 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V-50A-Max247VeryfastPowerMESH??IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STE40NC60	文件：270.59 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL600V-0.098ohm-40AISOTOPPowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW40NC60KD	文件：846.42 Kbytes Page：13 Pages	600V,40Ashort-circuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW40NC60V	文件：319.43 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL50A-600VTO-247HyperFastPowerMESH??IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“V”identifiesafamilyoptimizedforhigh frequency. ■HIGHCURRENTCAPABI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW40NC60V	文件：279.63 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL50A-600V-TO-247VeryFastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW40NC60W	文件：338.09 Kbytes Page：13 Pages	40A-600V-ultrafastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW40NC60WD	文件：377.09 Kbytes Page：14 Pages	40A-600V-ultrafastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW40NC60WD	文件：283.52 Kbytes Page：14 Pages	N-channel40A-600V-TO-247VeryfastswitchingPowerMESHIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™processresultinginanexcellenttrade-offbetweenswitchingperformanceandlowon-statebehavior. Features ■LowCRES/CIESratio(nocrossconductionsusceptibility) ■IGBTco-packagedwithultrafastfree-wheelingdiode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGY40NC60V	文件：303.19 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL50A-600V-Max247VeryFastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGY40NC60VD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，40A
开关能量：
330µJ（开），720µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
43ns/140ns
测试条件：
390V，40A，3.3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
MAX247™
描述：
IGBT 600V 80A 260W MAX247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	STGY40NC60VD	STMicroelectronics	23+	TO-247-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	STGY40NC60VD	ST(意法半导体)	23+	-	1330	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多STGY40NC60VD供应商更新时间2024-5-5 14:14:00

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