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STGY50NC60WD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
STGY50NC60WD规格书详情
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced Power MESH process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• Very high frequency operation
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
• Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
简介
STGY50NC60WD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGY50NC60WD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGY50NC60WD
- 生产厂家
：ST
- Package
：Max247
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：278
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：50
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：110
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：30
- VCE(sat)_typ(V)
：2.1
- VF_typ(V)
：3.2
- Qg_typ(nC)
：195
- Eon_typ(mJ)
：0.47
- Eoff_typ(mJ)
：0.79
- Qrr_typ(nC)
：100
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
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