STGYA50M120DF3数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号	STGYA50M120DF3
参数属性	STGYA50M120DF3 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
功能描述	1200 V、50 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT，Max247长引线封装 TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
封装外壳	TO-247-3
制造商	ST STMicroelectronics
中文名称	意法半导体意法半导体集团
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-9 17:39:00
人工找货	STGYA50M120DF3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

STGYA50M120DF3规格书详情

描述 Description

该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。

特性 Features

• 最大结温：TJ = 175 °C
• 短路耐受时间为10 μs
• 低 VCE(sat)（1.7 V典型值）@ IC = 50 A
• 紧凑参数分布
• 正VCE(sat)温度系数
• 低热阻
• 柔软、恢复速度极快的反向并联晶体管

简介

STGYA50M120DF3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGYA50M120DF3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

产品编号：
STGYA50M120DF3
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，50A
开关能量：
2mJ（开），3.2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
38ns/258ns
测试条件：
600V，50A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
MAX247™
描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	STGYA50M120DF3	ST	23+	Max247 long leads	12500	ST系列在售,可接长单	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	STH-01R	HITACHI/日立	24+	NA	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	STH-01R	HITACHI	23+	SMD	9868	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	STH-030-01-F-D-A	SAMTEL	25+23+	0	13303	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市煦洪科技有限公司	STGYA50M120DF3	ST/意法半导体	25+	原厂封装	10280	原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	STH0548S05	XP Power	24+	N/A	12000	一级代理保证进口原装正品假一罚十价格合理	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	STH012083.1	台产	1950+	QFP48	6852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	STH02304811119	APPOTECH	23+	QFP48	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
深圳市芯国创科技有限公司	STGYA50M120DF3	ST/意法半导体	25+	原厂封装	10280		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	STH-01R		2022+		54230	原厂代理终端免费提供样品	询价

更多STGYA50M120DF3供应商

STGYA50M120DF3数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

STGYA50M120DF3

相关芯片规格书

STGYA50M120DF3规格书详情

技术参数

相关库存