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STH140N6F7-6中文资料N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package数据手册ST规格书
STH140N6F7-6规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 低导通电阻
• 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
:STH140N6F7-6
- 生产厂家
:ST
- Package
:H2PAK-6
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.0032
- Drain Current (Dc)_max(A)
:80
- PTOT_max(W)
:158
- Qg_typ(nC)
:55
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
2116+ |
原厂原装 |
1964 |
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ST |
23+ |
TO-263-7 |
16900 |
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STMicroelectronics |
21+ |
H2PAK-6 |
1000 |
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ST(意法) |
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NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST |
24+ |
原厂原装 |
18000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
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ST |
23+ |
NA |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
6000 |
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