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STH130N10F3-2中文资料N-channel 100 V, 7.8 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in H2PAK-2 package数据手册ST规格书
STH130N10F3-2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel enhancement mode Power MOSFETs produced using STMicroelectronics’ STripFET™ III technology, which is specifically designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.
特性 Features
• Ultra low on-resistance
• 100% avalanche tested
技术参数
- 制造商编号
：STH130N10F3-2
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0093
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：57
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST意法 |
N/A |
21+ |
569888 |
原装正品现货 支持BOM配单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
H2PAK-2 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO263 |
1356 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO263 |
3488 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2022+ |
H2PAK-2 |
6900 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
H2Pak-2 |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25 |
H2PAK-2 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO263 |
2106 |
原装现货假一赔十 |
询价 |
