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STGWT40V60DF

Marking:GWT40V60DF;Package:TO-3P;Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STGWT40V60DF

Trench gate field-stop IGBT, V series

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STGWT40V60DF

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

MGBR40V60C

DUALMOSGATEDBARRIERRECTIFIER

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

PFR40V60CT

40A60VMOSSchottkyRectifier

PFC

PFC Device Inc.

PFR40V60CTB

40A60VMOSSchottkyRectifier

PFC

PFC Device Inc.

PFR40V60CTF

40A60VMOSSchottkyRectifier

PFC

PFC Device Inc.

PFR40V60CTI

40A60VMOSSchottkyRectifier

PFC

PFC Device Inc.

PFR40V60PT

40A60VMOSSchottkyRectifier

PFC

PFC Device Inc.

PFR40V60PT-L

40A60VMOSSchottkyRectifier

PFC

PFC Device Inc.

产品属性

  • 产品编号:

    STGWT40V60DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    456µJ(开),411µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    52ns/208ns

  • 测试条件:

    400V,40A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STGWT40V60DF供应商 更新时间2025-7-19 14:10:00