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STGW40H65FB	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C \n• Minimized tail current \n• Safe paralleling \n• Low thermal resistance;	ST 意法半导体	ST
STGW40H65FB	文件：1.08307 Mbytes Page：21 Pages	丝印：GW40H65FB；Package：TO-247；Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed 文件：1.08307 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW40H65FB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 80A 283W TO247	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGWA40H65DFB	文件：967.17 Kbytes Page：17 Pages	High speed switching series 文件：967.17 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGWA40H65FB	文件：1.08307 Mbytes Page：21 Pages	Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed 文件：1.08307 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGWT40H65FB	文件：1.08307 Mbytes Page：21 Pages	Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed 文件：1.08307 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGW40H65FB
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，40A
开关能量：
498mJ（开），363mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/142ns
测试条件：
400V，40A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 650V 80A 283W TO247

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