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STGW35NB60SD	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Drop \S\ series • LOW ON-VOLTAGE DROP (VCEsat)\n• HIGH CURRENT CAPABILITY• LOW INPUT CAPACITANCE;	ST 意法半导体	ST
STGW35NB60SD	文件：242.39 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESH TM IGBT 文件：242.39 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW35NB60SD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 70A 200W TO247	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
GW35NB60SD	文件：242.39 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESH TM IGBT 文件：242.39 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW35NB60S	文件：274.81 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 35A - 600V - TO-247 Low drop PowerMESH??IGBT Description Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. Features ■ Low on-voltage drop (VCEsat) ■ Low input capacitance ■ High current capabil 文件：274.81 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGW35NB60SD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，20A
开关能量：
840µJ（开），7.4mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
92ns/1.1µs
测试条件：
480V，20A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 70A 200W TO247

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