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STGW35NB60SD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGW35NB60SD |
| 参数属性 | STGW35NB60SD 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 70A 200W TO247 |
| 功能描述 | Low Drop \"S\" series |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-10 13:30:00 |
| 人工找货 | STGW35NB60SD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGW35NB60SD规格书详情
特性 Features
• LOW ON-VOLTAGE DROP (VCEsat)
• HIGH CURRENT CAPABILITY
• LOW INPUT CAPACITANCE
简介
STGW35NB60SD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW35NB60SD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGW35NB60SD
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：200
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：35
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：70
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：35
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：30
- VCE(sat)_typ(V)
：0.95
- VF_typ(V)
：1.3
- Qg_typ(nC)
：83
- Eon_typ(mJ)
：0.84
- Eoff_typ(mJ)
：7.4
- Qrr_typ(nC)
：66
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO247 |
8866 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-247-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
2511 |
TO-247 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-247-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
ST |
2447 |
TO-247 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-247 |
8795 |
询价 | |||
ST |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
