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STGW30H60DF中文资料600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBT数据手册ST规格书

厂商型号 |
STGW30H60DF |
参数属性 | STGW30H60DF 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 60A 260W TO247 |
功能描述 | 600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBT |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
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STGW30H60DF规格书详情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in easier paralleling operation.
特性 Features
High speed switching
Tight parameters distribution
Safe paralleling
Low thermal resistance
Short circuit rated
Ultrafast soft recovery antiparallel diode
简介
STGW30H60DF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW30H60DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
STGW30H60DF
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,30A
- 开关能量:
350µJ(开),400µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
50ns/160ns
- 测试条件:
400V,30A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247
- 描述:
IGBT 600V 60A 260W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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ST(意法半导体) |
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TO247 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
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ST |
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TO-247 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
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ST |
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TO-247 |
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ST(意法) |
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