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STGW19NC60W数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
STGW19NC60W |
参数属性 | STGW19NC60W 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 42A 140W TO247 |
功能描述 | Ultra fast \"W\" series |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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STGW19NC60W规格书详情
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
High frequency operation
Low C
RES / C
IES ratio (no cross-conductionsusceptibility)
简介
STGW19NC60W属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW19NC60W晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
STGW19NC60W
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,12A
- 开关能量:
81µJ(开),125µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/90ns
- 测试条件:
390V,12A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247 长引线
- 描述:
IGBT 600V 42A 140W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST |
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