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STGSB200M65DF2AG规格书详情
描述 Description
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。ACEPACK SMIT表面贴装式电源封装采用了DBC基板，热阻极低，并配有电气隔离顶端散热垫。
特性 Features
• 符合AEC-Q101标准
• 最短短路耐受时间为6 μs
• VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 200 A
• 紧凑参数分布
• 正VCE(sat)温度系数
• 低热阻
• 最大结温：TJ = 175 °C
• 晶片位于直接敷铜 (DBC) 基板上
• 隔离额定值3400 Vrms/min
• Ul认可：UL 1557文件E81734
技术参数
- 制造商编号
：STGSB200M65DF2AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：ACEPACK SMIT
- Grade
：Automotive
- VCES_max(V)
：650
- PTOT_max(W)
：714
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：216
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：200
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：138
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：138
- VCE(sat)_typ(V)
：1.65
- Qg_typ(nC)
：554
- Eon_typ(mJ)
：3.82
- Eoff_typ(mJ)
：6.97
- Err_typ(µJ)
：2396
- Qrr_typ(nC)
：25500
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-247-3 |
6000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
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N |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-3P |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
询价 | |||
ST/意法 |
07+ |
TO-247 |
340 |
询价 | |||
JAE |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-247 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |
