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STGP35HF60W中文资料35 A, 600 V Ultrafast IGBT数据手册ST规格书

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厂商型号

STGP35HF60W

参数属性

STGP35HF60W 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 60A 200W TO220

功能描述

35 A, 600 V Ultrafast IGBT
IGBT 600V 60A 200W TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:38:00

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STGP35HF60W规格书详情

描述 Description

This Ultrafast IGBT is developed using a new planar technology to yield a device with tighter switching energy variation (Eoff) versus temperature. The suffix \"W\" denotes a subset of products designed for high switching frequency operation (over 100 kHz).

特性 Features

• Improved Eoffat elevated temperature
• Minimal tail current
• Low conduction losses

简介

STGP35HF60W属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGP35HF60W晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STGP35HF60W

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :200

  • Freewheeling diode

    :false

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :35

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :60

  • VCE(sat)_typ(V)

    :2

  • Qg_typ(nC)

    :140

  • Eon_typ(mJ)

    :0.29

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.19

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