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STGP35HF60W数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGP35HF60W |
| 参数属性 | STGP35HF60W 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 60A 200W TO220 |
| 功能描述 | 35 A, 600 V Ultrafast IGBT |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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STGP35HF60W规格书详情
描述 Description
This Ultrafast IGBT is developed using a new planar technology to yield a device with tighter switching energy variation (Eoff) versus temperature. The suffix \"W\" denotes a subset of products designed for high switching frequency operation (over 100 kHz).
特性 Features
• Improved Eoffat elevated temperature
• Minimal tail current
• Low conduction losses
简介
STGP35HF60W属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGP35HF60W晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGP35HF60W
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：200
- Freewheeling diode
：false
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：35
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：60
- VCE(sat)_typ(V)
：2
- Qg_typ(nC)
：140
- Eon_typ(mJ)
：0.29
- Eoff_typ(mJ)
：0.19
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3401 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
STMICROELECTRONICS |
21+ |
NA |
51150 |
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询价 | ||
ST |
1926+ |
TO-220AB |
6852 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TOTO-220 |
35400 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 |
