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STGP19NC60WD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGP19NC60WD |
| 参数属性 | STGP19NC60WD 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 40A 125W TO220 |
| 功能描述 | Ultra fast \"W\" series |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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STGP19NC60WD规格书详情
描述 Description
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “W” identifies a family optimized for very high frequency application.
特性 Features
High frequency operation
Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
Low C
RES/C
IES ratio (no cross-conduction susceptibility)
简介
STGP19NC60WD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGP19NC60WD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
STGP19NC60WD
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，12A
- 开关能量：
81µJ（开），125µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/90ns
- 测试条件：
390V，12A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
IGBT 600V 40A 125W TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST |
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ST |
24+ |
TO-220-3 |
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TO-220-3 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
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