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STGP19NC60WD中文资料Ultra fast \"W\" series数据手册ST规格书

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厂商型号

STGP19NC60WD

参数属性

STGP19NC60WD 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 125W TO220

功能描述

Ultra fast \"W\" series
IGBT 600V 40A 125W TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 14:10:00

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STGP19NC60WD规格书详情

描述 Description

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “W” identifies a family optimized for very high frequency application.

特性 Features

High frequency operation
Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
Low C
RES/C
IES ratio (no cross-conduction susceptibility)

简介

STGP19NC60WD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGP19NC60WD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    STGP19NC60WD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    81µJ(开),125µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/90ns

  • 测试条件:

    390V,12A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 125W TO220

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