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STGP19NC60K数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
STGP19NC60K |
参数属性 | STGP19NC60K 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 35A 125W TO220 |
功能描述 | 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 18:28:00 |
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STGP19NC60K规格书详情
简介
STGP19NC60K属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGP19NC60K晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
STGP19NC60KD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.75V @ 15V,12A
- 开关能量:
165µJ(开),255µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
30ns/105ns
- 测试条件:
480V,12A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
IGBT 600V 35A 125W TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+/25+ |
5000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ST |
1726+ |
TO-220 |
6528 |
只做进口原装正品现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-220-3 |
2000 |
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询价 | ||
ST |
21+ |
TO-220 |
18000 |
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ST |
23+ |
NA |
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ST |
24+ |
TO-220 |
6000 |
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询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST |
25+ |
TO-220 |
7200 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
10000 |
询价 | |||
ST/意法 |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
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询价 |