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STGP10NC60KD中文资料10 A、600 V短路保护IGBT,TO-220封装数据手册ST规格书

厂商型号 |
STGP10NC60KD |
参数属性 | STGP10NC60KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 20A 65W TO220 |
功能描述 | 10 A、600 V短路保护IGBT,TO-220封装 |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 18:47:00 |
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STGP10NC60KD规格书详情
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• Lower on voltage drop (VCE(sat))
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
• Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Short-circuit withstand time 10μs
简介
STGP10NC60KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGP10NC60KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:STGP10NC60KD
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-220AB
- Grade
:Industrial
- VCES_max(V)
:600
- PTOT_max(W)
:65
- Freewheeling diode
:true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
:10
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
:20
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
:10
- VCE(sat)_typ(V)
:2
- VF_typ(V)
:2
- Qg_typ(nC)
:19
- Eon_typ(mJ)
:0.06
- Eoff_typ(mJ)
:0.085
- Qrr_typ(nC)
:14
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-220 |
8795 |
询价 | |||
ST/意法 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-220 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
TO-220-3 |
37048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-220 |
4650 |
优势供应 实单必成 可开增值税13点 |
询价 | ||
ST全系列 |
25+23+ |
TO-220 |
25730 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
TO-220-3 |
32000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 |