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STGP10NC60KD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGP10NC60KD |
| 参数属性 | STGP10NC60KD 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 20A 65W TO220 |
| 功能描述 | 10 A、600 V短路保护IGBT，TO-220封装 |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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STGP10NC60KD规格书详情
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• Lower on voltage drop (VCE(sat))
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
• Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Short-circuit withstand time 10μs
简介
STGP10NC60KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGP10NC60KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGP10NC60KD
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：65
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：10
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：20
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：10
- VCE(sat)_typ(V)
：2
- VF_typ(V)
：2
- Qg_typ(nC)
：19
- Eon_typ(mJ)
：0.06
- Eoff_typ(mJ)
：0.085
- Qrr_typ(nC)
：14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
942 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
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ST |
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TO-220AB |
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ST/意法半导体 |
23+ |
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ST |
22+ |
NA |
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询价 | ||
ST |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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询价 |
