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STGP10NC60KD中文资料10 A、600 V短路保护IGBT,TO-220封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STGP10NC60KD

参数属性

STGP10NC60KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 20A 65W TO220

功能描述

10 A、600 V短路保护IGBT,TO-220封装
IGBT 600V 20A 65W TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 18:47:00

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STGP10NC60KD规格书详情

描述 Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

特性 Features

• Lower on voltage drop (VCE(sat))
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
• Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Short-circuit withstand time 10μs

简介

STGP10NC60KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGP10NC60KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STGP10NC60KD

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :65

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :10

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :20

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :10

  • VCE(sat)_typ(V)

    :2

  • VF_typ(V)

    :2

  • Qg_typ(nC)

    :19

  • Eon_typ(mJ)

    :0.06

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.085

  • Qrr_typ(nC)

    :14

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