首页>STGP10NB60SD>规格书详情
STGP10NB60SD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
STGP10NB60SD |
| 参数属性 | STGP10NB60SD 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 29A 80W TO220 |
| 功能描述 | 16 A、600 V低压降IGBT，带柔软、恢复速度极快的二极管 |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | STGP10NB60SD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGP10NB60SD规格书详情
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process featuring extremely low on-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1 kHz).
特性 Features
• Low on-voltage drop (VCE(sat))
• High current capability
• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
简介
STGP10NB60SD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGP10NB60SD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：STGP10NB60SD
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：80
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：16
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：29
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：20
- VCE(sat)_typ(V)
：1.25
- VF_typ(V)
：1.9
- Qg_typ(nC)
：33
- Eon_typ(mJ)
：0.6
- Eoff_typ(mJ)
：5
- Qrr_typ(nC)
：40
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
963 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST |
1926+ |
TO-220AB |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST |
132023+ |
TO-220 |
980 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法 |
2223+ |
TO-220 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
25000 |
ST专营品牌全新原装热卖 |
询价 |
