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STGP12NB60HD

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深圳市川科科技有限公司

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STGP12NB60HD

ST-意法半导体TO-220-3

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STGP12NB60HD

STMicroelectronicsN/A

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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STGP12NB60HD

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STGP12NB60HD

STTO-220

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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STGP12NB60HD

STTO-220

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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STTO-220

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STGP12NB60HD

STTOTO-220

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STGP12NB60HD

STTO-220

17414

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专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC

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STGP12NB60HD

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STGP12NB60HD功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    STGP12NB60HD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列：

    PowerMESH™

  • 包装：

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，12A

  • 开关能量：

    210µJ（关）

  • 输入类型：

    标准

  • 25°C 时 Td（开/关）值：

    5ns/91ns

  • 测试条件：

    480V，12A，10 欧姆，15V

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-220-3

  • 供应商器件封装：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 600V 30A 125W TO220

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