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STGP19NC60S数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
STGP19NC60S |
参数属性 | STGP19NC60S 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 130W TO220 |
功能描述 | N-channel 600V - 20A - TO-220 Medium frequency PowerMESH IGBT |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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STGP19NC60S规格书详情
简介
STGP19NC60S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGP19NC60S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
STGP19NC60S
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,12A
- 开关能量:
135µJ(开),815µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
17.5ns/175ns
- 测试条件:
480V,12A,10 欧姆,15V
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
IGBT 600V 40A 130W TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO220 |
7350 |
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询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
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ST |
1926+ |
TO-220AB |
6852 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16960 |
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询价 | ||
ST全系列 |
25+23+ |
TO-220 |
26672 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
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询价 |