首页>STGP30M65DF2>规格书详情

STGP30M65DF2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

PDF无图
厂商型号

STGP30M65DF2

参数属性

STGP30M65DF2 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 650V 30A TO-220AB

功能描述

沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、30 A,低损耗
IGBT 650V 30A TO-220AB

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-6 23:00:00

人工找货

STGP30M65DF2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

STGP30M65DF2规格书详情

简介

STGP30M65DF2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGP30M65DF2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STGP30M65DF2

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :650

  • PTOT_max(W)

    :258

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :30

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :60

  • IF_max(@ Tc=100°C)(A)

    :30

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :60

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.55

  • VF_typ(V)

    :1.85

  • Qg_typ(nC)

    :80

  • Eon_typ(mJ)

    :0.3

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.96

  • Err_typ(µJ)

    :115

  • Qrr_typ(nC)

    :880

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
TO-220
1612
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
ST/意法
24+
NA/
162
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
ST/意法
2020+
TO247
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ST
17+
TO-220
162
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ST
23+
TO-220
12500
ST系列在售,可接长单
询价
ST
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
ST/意法
2450+
TO-220
6540
只做原装正品现货或订货假一赔十!
询价
ST
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
ST/意法
2023+
TO247
6893
专注全新正品,优势现货供应
询价
ST/意法半导体
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
询价