STGSB200M65DF2AG

丝印：GSB200M65DF2AG；Package：SMIT；Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A, low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package

Features •AEC-Q101qualified •6μsofminimumshort-circuitwithstandtime •VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=200A •Tightparameterdistribution •PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient •Lowthermalresistance •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Diceondirectbondcopper

STGSB200M65DF2AG

650 V、200 A车规级沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT，采用ACEPACK SMIT封装; • 符合AEC-Q101标准 \n• 最短短路耐受时间为6 μs \n• VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 200 A \n• 紧凑参数分布 \n• 正VCE(sat)温度系数 \n• 低热阻 \n• 最大结温：TJ = 175 °C \n• 晶片位于直接敷铜 (DBC) 基板上 \n• 隔离额定值3400 Vrms/min \n• Ul认可：UL 1557文件E81734;

该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。ACEPACK SMIT表面贴装式电源封装采用了DBC基板，热阻极低，并配有电气隔离顶端散热垫。\n\n