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STGP3NC120HD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

STGP3NC120HD

参数属性

STGP3NC120HD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 14A 75W TO220

功能描述

7 A、1200 V超快IGBT,带超高速二极管
IGBT 1200V 14A 75W TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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STGP3NC120HD规格书详情

描述 Description

This high voltage and very fast IGBT shows an excellent trade-off between low conduction losses and fast switching performance. It is designed in PowerMESH™ technology combined with high voltage ultrafast diode.

特性 Features

• High voltage capability
• High speed
• Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode

简介

STGP3NC120HD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGP3NC120HD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STGP3NC120HD

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :1200

  • PTOT_max(W)

    :75

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :7

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :14

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :3

  • VCE(sat)_typ(V)

    :2.3

  • VF_typ(V)

    :1.6

  • Qg_typ(nC)

    :24

  • Eon_typ(mJ)

    :0.24

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.29

  • Qrr_typ(nC)

    :85

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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