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STGW19NC60W	文件：234.03 Kbytes Page：13 Pages	19 A, 600 V - ultrafast IGBT Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features  High frequency operation  Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Applications  High frequency i 文件：234.03 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW19NC60WD	文件：312.92 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 600V - 19A - TO-220 - TO-247 Ultra fast PowerMESH??IGBT 文件：312.92 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW19NC60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Ultra fast \W\ series This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. High frequency operation\nLow C\nRES / C\nIES ratio (no cross-conductionsusceptibility);	ST 意法半导体	ST
STGW19NC60W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 42A 140W TO247	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW19NC60WD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 42A 125W TO247	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGW19NC60W
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，12A
开关能量：
81µJ（开），125µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/90ns
测试条件：
390V，12A，10 欧姆，15V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 长引线
描述：
IGBT 600V 42A 140W TO247

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