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STGWT20V60DF	文件：2.09008 Mbytes Page：23 Pages	600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
STGWT20V60DF	文件：2.09008 Mbytes Page：23 Pages	Low thermal resistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGWT20V60DF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 167W TO3P-3	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
20V60	文件：920.98 Kbytes Page：3 Pages	20AmperelowvfSchottkydiode FEATURE .Forsurfacemountedapplication .Highcurrentcapability .Lowforwardvoltagedrop .Lowpowerloss,highefficiency .Highsurgecurrentcapability .Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10secondsatterminals.	ASEMIASEMI TECHNOLOGY., LTD 强元芯电子强元芯电子（广东）有限公司	ASEMI
GB20V60DF	文件：2.09008 Mbytes Page：23 Pages	Lowthermalresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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MGBR20V60	文件：152.13 Kbytes Page：3 Pages	MOSGATEDBARRIERRECTIFIER	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MGBR20V60C	文件：127.49 Kbytes Page：3 Pages	DUALMOSGATEDBARRIERRECTIFIERS	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MGBR20V60CG-TND-R	文件：127.49 Kbytes Page：3 Pages	DUALMOSGATEDBARRIERRECTIFIERS	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

产品属性

产品编号：
STGWT20V60DF
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
开关能量：
200µJ（开），130µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
38ns/149ns
测试条件：
400V，20A，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 600V 40A 167W TO3P-3

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