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STGW30NC60W	文件：98.64 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH IGBT 文件：98.64 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW30NC60W	文件：306.18 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30A - 600V - TO-247 - TO-220 Ultra fast switching PowerMESH TM IGBT 文件：306.18 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW30NC60W	文件：461.61 Kbytes Page：16 Pages	30 A - 600 V - ultra fast IGBT 文件：461.61 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW30NC60WD	文件：545.13 Kbytes Page：14 Pages	丝印：GW30NC60WD；Package：TO-247；30 A, 600 V ultra fast IGBT Description This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ High frequency operation ■ Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) ■ Very soft ultra fast recovery 文件：545.13 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW30NC60WD	文件：280.18 Kbytes Page：14 Pages	丝印：GW30NC60WD；Package：TO-247；N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH??IGBT Description This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ High frequency operation ■ Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) ■ Very soft ultra fast recovery antip 文件：280.18 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW30NC60WD_V01	文件：545.13 Kbytes Page：14 Pages	30 A, 600 V ultra fast IGBT Description This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ High frequency operation ■ Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) ■ Very soft ultra fast recovery 文件：545.13 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW30NC60WD	文件：306.03 Kbytes Page：14 Pages	丝印：GW30NC60WD；Package：TO-247；N-channel 30A - 600V - TO-247 Ultra fast switching PowerMESH??IGBT 文件：306.03 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW30NC60WD_07	文件：306.03 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30A - 600V - TO-247 Ultra fast switching PowerMESH??IGBT 文件：306.03 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW30NC60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH IGBT	ST 意法半导体	ST
STGW30NC60W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 200W TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGW30NC60W
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，20A
开关能量：
305µJ（开），181µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
29.5ns/118ns
测试条件：
390V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 60A 200W TO220

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