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STGW30NC60WD_V01	文件：545.13 Kbytes Page：14 Pages	30 A, 600 V ultra fast IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Highfrequencyoperation ■LowerCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecovery	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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STGW30NC60WD_V01

文件：545.13 Kbytes

Page：14 Pages

30 A, 600 V ultra fast IGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Highfrequencyoperation ■LowerCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecovery

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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更多STGW30NC60WD_V01供应商更新时间2024-6-8 11:00:00

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