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STGW40S120DF3	文件：724.23 Kbytes Page：18 Pages	Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW40S120DF3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 40A TO247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
STGW40S120DF3
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.15V @ 15V，40A
开关能量：
1.43mJ（开），3.83mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
35ns/148ns
测试条件：
600V，40A，15 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 1200V 40A TO247

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