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STGW80H65FB	文件：1.47608 Mbytes Page：18 Pages	Low thermal resistance 文件：1.47608 Mbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW80H65FB-4	文件：772.73 Kbytes Page：14 Pages	Safe paralleling 文件：772.73 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW80H65FB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 120A 469W TO-247	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW80H65FB-4	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slig V\nCE(sat) = 1.6 V(typ) @ I\nC = 80 A\nMaximum junction temperature: T\nJ = 175 °C\nHigh speed switching series\nMinimized tail current\nSafe paralleling\nTight parameter distribution\nLow thermal resistance\nKelvin pin;	ST 意法半导体	ST
STGW80H65FB-4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-4；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT BIPO 650V 80A TO247	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGW80H65FB
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，80A
开关能量：
2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
84ns/280ns
测试条件：
400V，80A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 650V 120A 469W TO-247

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