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STGWT30V60DF	文件：1.91768 Mbytes Page：22 Pages	Low thermal resistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGWT30V60DF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 258W TO3P-3	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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MGBR30V60C	文件：111.05 Kbytes Page：3 Pages	DUALMOSGATEDBARRIERRECTIFIER	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
PFR30V60CT	文件：773.69 Kbytes Page：7 Pages	30A60VMOSSchottkyRectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC
PFR30V60CTB	文件：773.69 Kbytes Page：7 Pages	30A60VMOSSchottkyRectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC
PFR30V60CTF	文件：773.69 Kbytes Page：7 Pages	30A60VMOSSchottkyRectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC

产品属性

产品编号：
STGWT30V60DF
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，30A
开关能量：
383µJ（开），233µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
45ns/189ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 600V 60A 258W TO3P-3

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