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STGWT30V60DF

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the V series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a pos • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C\n• Tail-less switching off\n• VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 30 A\n• Tight parameters distribution• Safe paralleling\n• Low thermal resistance\n• Very fast soft recovery antiparallel diode;

ST

意法半导体

STGWT30V60DF

Low thermal resistance

文件:1.91768 Mbytes 页数:22 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGWT30V60DF

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 60A 258W TO3P-3

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意法半导体

STGWT30V60F

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed

文件:1.47767 Mbytes 页数:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    STGWT30V60DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    383µJ(开),233µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    45ns/189ns

  • 测试条件:

    400V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 258W TO3P-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STGWT30V60DF供应商 更新时间2025-10-10 17:41:00