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STGW50H60DF

丝印:GW50H60DF;Package:TO-247;50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode

Features ■ High speed switching ■ Tight parameters distribution ■ Safe paralleling ■ Low thermal resistance ■ 6 µs short-circuit withstand time ■ Ultrafast soft recovery antiparallel diode ■ Lead free package Applications ■ Photovoltaic inverters ■ Uninterruptible power supply ■ Weldi

文件:1.7619 Mbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW50H60DF

50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode

ST

意法半导体

STGW50H60DF

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 100A 360W TO247

STMICROELECTRONICS

意法半导体

APTGV50H60BG

Boost chopper CoolMos?? full bridge NPT & Trench Field Stop IGBT Power module

文件:443.4 Kbytes 页数:15 Pages

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    STGW50H60DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    890µJ(开),860µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    62ns/178ns

  • 测试条件:

    400V,50A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 100A 360W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST
2019
TO-247
19700
INFINEON品牌专业原装优质
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STMICRO
25+
N/A
21000
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50000
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ST/意法
23+
TO247
50000
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更多STGW50H60DF供应商 更新时间2026-1-31 19:20:00