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STH240N10F7-6

N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-6封装; • 超低导通电阻 \n• 经过100%雪崩测试;

该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。\n\n

STSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STH240N10F7-6

Ultra low on-resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STH240N75F3-6

ST
TO263-7

ST

STH3N150-2

ST
TO-263

ST

STHVDAC-303F6

ST
BGA

ST

技术参数

  • Package:

    H2PAK-6

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0025

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    180

  • PTOT_max(W):

    300

  • Qg_typ(nC):

    160

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
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TO-263-7
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更多STH240N10F7-6供应商 更新时间2025-7-30 15:31:00