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STH240N10F7-6中文资料N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-6封装数据手册ST规格书
STH240N10F7-6规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 超低导通电阻
• 经过100％雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
：STH240N10F7-6
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-6
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0025
- Drain Current (Dc)_max(A)
：180
- PTOT_max(W)
：300
- Qg_typ(nC)
：160
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
20000 |
询价 | |||
ST/意法 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
T0-263-7 |
100000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25 |
TO-263-7 |
6000 |
原装正品 |
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ST |
800 |
原装正品老板王磊+13925678267 |
询价 | ||||
STMicroelectronics |
21+ |
H2PAK-6 |
1000 |
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ST意法 |
N/A |
21+ |
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ST/意法 |
24+ |
TO-263-7 |
5070 |
全新原装,价格优势,原厂原包 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-7 |
16900 |
原装，正品 |
询价 |
