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STH240N10F7-2中文资料N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STH240N10F7-2

功能描述

N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 10:38:00

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STH240N10F7-2规格书详情

描述 Description

该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

特性 Features

• 超低导通电阻
• 经过100%雪崩测试

技术参数

  • 制造商编号

    :STH240N10F7-2

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :H2PAK-2

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.0025

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :180

  • PTOT_max(W)

    :300

  • Qg_typ(nC)

    :160

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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