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STH240N10F7-2

N沟道100 V、0.002 Ohm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装

该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。 • 超低导通电阻 \n• 经过100%雪崩测试;

ST

意法半导体

STH240N10F7-2

Ultra low on-resistance

文件:774.72 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STH240N75F3-6

ST
TO263-7

ST

STH3N150-2

ST
TO-263

ST

STHVDAC-303F6

ST
BGA

ST

技术参数

  • Package:

    H2PAK-2

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0025

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    180

  • PTOT_max(W):

    300

  • Qg_typ(nC):

    160

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STH240N10F7-2供应商 更新时间2025-10-14 14:14:00