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STH175N4F6-2AG中文资料Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package数据手册ST规格书
STH175N4F6-2AG规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on)in all packages.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STH175N4F6-2AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0024
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：150
- Qg_typ(nC)
：130
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
5255 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆 |
54685 |
百分百原装现货有单来谈 |
询价 | ||
STM |
1548+ |
H2PAK-2 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
H2PAK-2 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268973邹小姐 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
H2PAK-2 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
