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STH175N4F6-2AG中文资料Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package数据手册ST规格书
STH175N4F6-2AG规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on)in all packages.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STH175N4F6-2AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0024
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：150
- Qg_typ(nC)
：130
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法 |
25+ |
H2PAK-2 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25 |
H2PAK-2 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
H2Pak-2 |
1000 |
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询价 | ||
STM |
21+ |
H2PAK-2 |
7005 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
H2PAK-2 |
6000 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
ST |
23+ |
H2PAK-2 |
8560 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
H2PAK-2 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
5255 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 |
