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STH12N120K5-2中文资料N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装数据手册ST规格书
STH12N120K5-2规格书详情
描述 Description
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
• Worldwide best FOM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STH12N120K5-2
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：1200
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.69
- Drain Current (Dc)_max(A)
：12
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：44.2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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