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STH200N10WF7-2中文资料N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 package数据手册ST规格书
STH200N10WF7-2规格书详情
描述 Description
该N沟道功率MOSFET利用STripFET F7技术（采用增强型沟槽栅结构），增强了线性模式耐受能力，并提供更宽的SOA和非常低的导通电阻。由此而来的MOSFET实现了线性模式和开关操作之间的最佳平衡。
特性 Features
• 最优SOA性能
• 高电流浪涌能力
• 极低的导通电阻
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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ST |
22+ |
TO-263 |
16900 |
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STM |
23+ |
TO-263 |
2742 |
原厂原装正品 |
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STMicroelectronics |
21+ |
H2Pak-2 |
1000 |
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ST |
21+ |
TO-263 |
300 |
原装现货假一赔十 |
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ST |
TO-263 |
22+ |
10000 |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3500 |
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ST |
10+ |
TO-263 |
1 |
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ST |
23+ |
TO-263 |
16900 |
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SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
