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STH210N75F6-2中文资料High avalanche ruggedness数据手册ST规格书
技术参数
- 型号：
STH210N75F6-2
- 功能描述：
MOSFET N-ch 75V 0.0022 Ohm 180A STripFET VI
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
2580 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-263 |
16900 |
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询价 | ||
ST |
21+ |
TO-263 |
300 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
H2Pak-2 |
1000 |
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询价 | ||
ST |
TO-263 |
22+ |
10000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3500 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
32360 |
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询价 | ||
ST |
10+ |
TO-263 |
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ST |
23+ |
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