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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
STH210N75F6-2 | N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.4mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
STH210N75F6-2 | High avalanche ruggedness | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
STH210N75F6-2
- 功能描述：
MOSFET N-ch 75V 0.0022 Ohm 180A STripFET VI
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
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ST/意法 |
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TO-263 |
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更新时间2025-7-26 17:26:00
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