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STI260N6F6	文件：285.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：285.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STI260N6F6	文件：756 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60 V, 0.0024 廓, 120 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in TO-220 and I짼PAK packages 文件：756 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STI260N6F6	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 60 V, 0.0024 Ω, 120 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in TO-220 and I²PAK packages	ST 意法半导体	ST
STP260N6F6	文件：371.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：371.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP260N6F6	文件：756 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60 V, 0.0024 廓, 120 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in TO-220 and I짼PAK packages 文件：756 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

更多STI260N6F6供应商更新时间2026-1-31 16:12:00