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STI32N65M5	文件：358.39 Kbytes Page：2 Pages	Marking：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •LowDrain-SourceOn-Resistance FEATURES •DrainCurrent–ID=22A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=148mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandre	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STI32N65M5	文件：1.27883 Mbytes Page：22 Pages	N-channel 650 V, 0.095 廓, 24 A, MDmesh??V Power MOSFET in D짼PAK, I짼PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP32N65M5	文件：1.27883 Mbytes Page：22 Pages	N-channel650V,0.095廓,24A,MDmesh??VPowerMOSFETinD짼PAK,I짼PAK,TO-220FP,TO-220,TO-247 Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STI32N65M5
功能描述：
MOSFET Nchannel 650 V 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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