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STI26NM60N	文件：1.14259 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET applies a new vertical structure to the company’s strip layout to yield a device with one of the world’s lowest on-resistance and gate charge, making 文件：1.14259 Mbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STI26NM60N	文件：358.69 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：358.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STI26NM60N	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK	ST 意法半导体	ST
STL26NM60N	文件：697.79 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 600 V, 0.160 廓, 19 A PowerFLAT??8x8 HV ultra low gate charge MDmesh??II Power MOSFET Description This device is an N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on resistance, which is unmatched am 文件：697.79 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP26NM60N	文件：1.14259 Mbytes Page：23 Pages	N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET applies a new vertical structure to the company’s strip layout to yield a device with one of the world’s lowest on-resistance and gate charge, making 文件：1.14259 Mbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP26NM60N	文件：1.12508 Mbytes Page：24 Pages	N-channel 600 V, 0.135 廓 typ., 20 A MDmesh??II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET applies a new vertical structure to the company’s strip layout to yield a device with one of the world’s lowest on-resistance and gate charge, making 文件：1.12508 Mbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STI26NM60N
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
Mdmesh™ II
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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