STH315N10F7-2技术资料参数贸易商ST-114ic电子网

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STH315N10F7-2	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级N沟道100 V、2.1 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装; • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的RDS(on)行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力; 该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
STH315N10F7-2	文件：1.14638 Mbytes Page：19 Pages	丝印：315N10F7；Package：H2PAK-2；Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 m廓 typ., 180 A STripFET??F7 Power MOSFETs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STH3N150-2	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-263	ST 相关企业：深圳市佳斯泰科技有限公司	ST
STHVDAC-303F6	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST BGA	ST 相关企业：深圳市凯睿晟科技有限公司	ST
STHVDAC-303F6	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 BGA	ST/意法相关企业：芯灿微（深圳）科技有限公司	ST/意法

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更多STH315N10F7-2供应商更新时间2025-7-30 15:29:00