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STH315N10F7-2规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
• 处于市面上最低的RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的 Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STH315N10F7-2
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0023
- Drain Current (Dc)_max(A)
：180
- PTOT_max(W)
：315
- Qg_typ(nC)
：180
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
15620 |
ST/意法全新特价STH315N10F7-2即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-263 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST |
21 |
TO-263 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
H2PAK-2 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
N/A |
8048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
