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STH315N10F7-2中文资料汽车级N沟道100 V、2.1 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装数据手册ST规格书
STH315N10F7-2规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
• 处于市面上最低的RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的 Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STH315N10F7-2
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0023
- Drain Current (Dc)_max(A)
：180
- PTOT_max(W)
：315
- Qg_typ(nC)
：180
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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25+ |
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ST/意法 |
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