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STH275N8F7-6AG中文资料汽车级N沟道80 V、1.7 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-6封装数据手册ST规格书
STH275N8F7-6AG规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 通过AEC-Q101认证
• 处于市面上最低的RDS(on) 行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
技术参数
- 制造商编号
：STH275N8F7-6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-6
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：80
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0021
- Drain Current (Dc)_max(A)
：180
- PTOT_max(W)
：315
- Qg_typ(nC)
：193
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-7 |
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ST/意法半导体 |
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